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SPB35N10中文资料

SPB35N10图片

SPB35N10外观图

  • 大小：480.71KB
  • 厂家：INFINEON [Infineon Technologies AG]
  • 描述：SIPMOS Power-Transistor
  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：SIPMOS?
  • 包装：卷带（TR）
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：44 毫欧 @ 26.4A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 83μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：65 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1570 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：PG-TO263-3-2
  • 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

SPB35N10供应商

更新时间:2023-01-08 22:33:38
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